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又一个国家重大科技基础设施在武汉启动建设，带领武汉创新能力再上新台阶。
9月27日，脉冲强磁场实验装置优化提升国家重大科技基础设施项目建设启动现场会在华中科技大学举行。
第一财经记者从华中科技大学获悉，脉冲强磁场实验装置是我国“十一五”期间规划建设的十二项重大科技基础设施之一，于2007年1月由国家发改委批准华中科技大学建设，国家批复建设经费为1.3385亿元。装置于2008年4月开工，2013年10月建成，2014年10月通过国家验收并正式对外开放运行。
此次启动建设的优化提升项目将在一期基础上，围绕磁场参数提升、测量手段丰富和研究领域拓展等三个方面，瞄准物质科学、生命科学以及强电磁工程科学领域的重大科学问题，进行脉冲强磁场实验装置的优化升级和功能扩展。项目建设周期5年，总投资约21.385亿元。
高校一直是区域发展的人才中心和创新高地，也是区域发展的创新源头和动力引擎。
过去十年，华中科技大学坚持深耕光电领域，和相关龙头企业建立25个联合实验室，逐步建立起从基础研究、关键技术突破、到成果转化应用的国家科技基地集群优势，先后有130家高新技术企业由学校科技成果转化应运而生，支撑中国光谷“光芯屏端网”产业集群突破6千亿大关，正努力向万亿级产业集群发展。
武汉科教资源丰富，华中科技大学、武汉大学、武汉理工大学等在汉高校一直发挥着学科人才优势，通过创新引领，强化辐射带动作用，加快科技资源聚集，有力支撑武汉建设具有全国影响力的科技创新中心。
世界知识产权组织发布的《全球创新指数报告》显示，中国城市集群成为全球范围内上升最快的集群，其中武汉排名连续5年上升，今年上升了9位，由第25位升至第16位。
目前，国家在武汉已布局脉冲强磁场、精密重力测量等3个重大科技基础设施，脉冲强磁场优化提升、作物表型组学研究和深部岩土工程扰动模拟等3个重大科技基础设施纳入国家“十四五”相关专项规划，数量居全国前列。
专家分析称，未来十年，随着更多国家重大科技基础设施落地武汉，武汉的原始创新能力将实现大幅跨越，在全国区域发展战略中的地位也将更加突显。
